Дата
размещения диссертации на сайте организации: |
27 ноября 2017 г. |
Ф.И.О.: |
Девизорова Жанна Алексеевна
|
Название диссертации: "Интерфейсные эффекты в электронном спектре ограниченных полупроводников и полуметаллов" на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (01.04.10)
|
Диссертация
Ж.А.Девизоровой (файл в формате .pdf) |
Название
организации и научного подразделения, где выполнена диссертация (адрес
сайта организации) |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН (ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН), сайт: www.cplire.ru; лаборатория Методов получения тонких пленок и пленочных структур.
|
Научный руководитель: Волков Владимир Александрович, доктор .физ-мат.наук., главный научный сотрудник лаб. Методов получения тонких пленок и пленочных структур ФГБУН Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
|
|
Решение диссертационного совета о приеме диссертации к защите: | Выписка из протокола заседания диссертационного совета |
Официальные оппоненты:
доктор физико-математических наук спец.: 01.04.10 «Физика полупроводников». профессор, член-корреспондент РАН ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, сектор Теории квантовых когерентных явлений в твердом теле, главный научный сотрудник. Публикации: 1) L E Golub and E L Ivchenko «Spin-dependent phenomena in semiconductors in strong electric fields». New Journal of Physics 15, 125003 (2013). 2) M. V. Durnev, M. M. Glazov, E. L. Ivchenko, M. Jo, T. Mano, T. Kuroda, K. Sakoda, S. Kunz, G. Sallen, L. Bouet, X. Marie, D. Lagarde, T. Amand, and B. Urbaszek «Magnetic field induced valence band mixing in [111] grown semiconductor quantum dots». Phys. Rev. B 87, 085315 (2013). 3) M. V. Durnev, M. M. Glazov, and E. L. Ivchenko «Spin-orbit splitting of valence subbands in semiconductor nanostructures». Phys. Rev. B 89, 075430 (2014). 4) S. A. Tarasenko, M. V. Durnev, M. O. Nestoklon, E. L. Ivchenko, Jun-Wei Luo, and Alex Zunger «Split Dirac cones in HgTe/CdTe quantum wells due to symmetry-enforced level anticrossing at interfaces». Phys. Rev. B 91, 081302(R) (2015). 5) M. Vidal, M. V. Durnev, L. Bouet, T. Amand, M. M. Glazov, E. L. Ivchenko, P. Zhou, G. Wang, T. Mano, T. Kuroda, X. Marie, K. Sakoda, and B. Urbaszek «Hyperfine coupling of hole and nuclear spins in symmetric (111)-grown GaAs quantum dots». Phys. Rev. B 94, 121302(R) (2016). 6) P. Olbrich, J. Kamann, M. König, J. Munzert, L. Tutsch, J. Eroms, D. Weiss, Ming-Hao Liu (劉明豪), L. E. Golub, E. L. Ivchenko, V. V. Popov, D. V. Fateev, K. V. Mashinsky, F. Fromm, Th. Seyller, and S. D. Ganichev «Terahertz ratchet effects in graphene with a lateral superlattice». Phys. Rev. B 93, 075422 (2016). 7) L. E. Golub, E. L. Ivchenko, B. Z. Spivak «Photocurrent in gyrotropic Weyl semimetals». JETP Letters 105, 782 (2017). 8) P. Faltermeier, G. V. Budkin, J. Unverzagt, S. Hubmann, A. Pfaller, V. V. Bel'kov, L. E. Golub, E. L. Ivchenko, Z. Adamus, G. Karczewski, T. Wojtowicz, V. V. Popov, D. V. Fateev, D. A. Kozlov, D. Weiss, and S. D. Ganichev «Magnetic quantum ratchet effect in (Cd,Mn)Te- and CdTe-based quantum well structures with a lateral asymmetric superlattice». Phys. Rev. B 95, 155442 (2017). 2. Рожков Александр
Владимирович, Публикации: 1) P. A. Maksimov, A. V. Rozhkov, and A. O. Sboychakov «Localized electron states near the armchair edge of graphene». Phys. Rev. B 88, 245421 (2013). 2) A. O. Sboychakov, A. L. Rakhmanov, A. V. Rozhkov, and F. Nori «Metal-insulator transition and phase separation in doped AA-stacked graphene bilayer». Phys. Rev. B 87, 121401(R) (2013). 3) R. S. Akzyanov, A. O. Sboychakov, A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, and F. Nori «AA -stacked bilayer graphene in an applied electric field: Tunable antiferromagnetism and coexisting exciton order parameter». Phys. Rev. B 90, 155415 (2014). 4) A. O. Sboychakov, A. L. Rakhmanov, A. V. Rozhkov, and F. Nori «Electronic spectrum of twisted bilayer graphene». Phys. Rev. B 92, 075402 (2015). 5) R. S. Akzyanov, A. L. Rakhmanov, A. V. Rozhkov, and F. Nori «Majorana fermions at the edge of superconducting islands». Phys. Rev. B 92, 075432 (2015). 6) A.V. Rozhkov, A.O. Sboychakov, A.L. Rakhmanov, F. Nori «Electronic properties of graphene-based bilayer systems». Physics Reports 648, 1 (2016). 7) R. S. Akzyanov, A. L. Rakhmanov, A. V. Rozhkov, and F. Nori «Tunable Majorana fermion from Landau quantization in 2D topological superconductors». Phys. Rev. B 94, 125428 (2016). 8) A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, A. L. Rakhmanov, and F. Nori «Single-electron gap in the spectrum of twisted bilayer graphene». Phys. Rev. B 95, 045119 (2017).
|
Отзыв официального оппонента Рожкова А.В. |
Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова» (физический факультет). Адрес: 119991, Москва, ГСП-1, Ленинские горы, д. 1, стр. 2, Адрес сайта: http://www.phys.msu.ru/ Телефон: (495) 939 1151 E-mail : [email protected]
Публикации: 1) S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, E. P. Skipetrov, L. V. Yashina, S. N. Danilov, S. D. Ganichev, and D. R. Khokhlov «Detection of highly conductive surface electron states in topological crystalline insulators Pb1−xSnxSe using laser terahertz radiation». Scientific Reports 5, 11540 (2015). 2) Svetlana G. Egorova, Vladimir I. Chernichkin, Anna O. Dudnik, Vladimir A. Kasiyan, Leonid Chernyak, Sergey N. Danilov, Ludmila I. Ryabova, Dmitry R. Khokhlov «Discrimination of Conductive Surface Electron States by Laser Terahertz Radiation in PbSe—A Base for Pb1−xSnxSe Topological Crystalline Insulators». IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 5, 659 (2015). 3) A V Galeeva, S G Egorova, V I Chernichkin, M E Tamm, L V Yashina, V V Rumyantsev, S V Morozov, H Plank, S N Danilov, L I Ryabova and D R Khokhlov «Manifestation of topological surface electron states in the photoelectromagnetic effect induced by terahertz laser radiation». Semicond. Sci. Technol. 31, 095010 (2016). 4) Alexandra V Galeeva, Ivan V Krylov, Konstantin A Drozdov, Anatoly F Knjazev, Alexey V Kochura, Alexander P Kuzmenko, Vasily S Zakhvalinskii, Sergey N Danilov, Ludmila I Ryabova, and Dmitry R Khokhlov «Electron energy relaxation under terahertz excitation in (Cd1− xZnx)3As2 Dirac semimetals». Beilstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017). 5) A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov «Terahertz Photoconductivity in Hg1−x CdxTe near the transition from the direct to inverted spectrum». JETP Letters 106, 162 (2017).
|
Отзыв ведущей организации |
Отзывы на автореферат и диссертацию 1.Отзыв на автореферат из ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН от д.ф-м.н. Н.С.Аверкиева
2. Отзыв на автореферат из Нижегородского гос.ун-та им. Н.И.Лобачевского от д.ф-м.н.ф. проф. А.М.Сатанина и к.ф-м.н. А.А.Конакова
|
Отзыв от д.ф-м.н. Н.С.Аверкиева Отзыв на автореферат от д.ф-м.н.ф. проф. А.М.Сатанина и к.ф-м.н. А.А.Конакова
|
Дата размещения объявления о защите и
автореферата диссертации
на сайте организации: |
26 декабря 2017 г. |
Объявление о защите диссертации |
Девизорова Жанна Алексеевна "Интерфейсные эффекты в электронном спектре ограниченных полупроводников и полуметаллов" Специальность: 01.04.10 Шифр совета: Д 002.231.01 Адрес: 125009, Москва, ул.Моховая, д.11, корп.7 (ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН) Адрес объявления на сайте ВАК: Тел: 8 (495) 629 3309; e-mail: [email protected] Дата защиты: «23» марта 2018 г., в 10-00.
|
Автореферат: | Автореферат Девизоровой Ж.А. |
Решение диссертационного совета о присуждении ученой степени кандидата физико-математических наук:
|
Протокол заседания совета |