Название диссертации:
 «Краевые электронные возбуждения в графене и 2D топологическом изоляторе на основе квантовых ям Cd(Hg)Te»  на соискание ученой степени  кандидата физико-математических наук  (01.04.10)

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН (ИРЭ им. В.А.Котельникова

РАН), сайт: www.cplire.ru;

лаб.  № 181 «Электронные процессы в тонких пленках и пленочных структурах»

Научный руководитель:

Волков Владимир Александрович , д.ф-м.н., главный научный сотрудник лаб. № 181 «Электронные процессы в тонких пленках и пленочных структурах»   ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

1.Тугушев Виктор Витальевич,
доктор физико-математических наук,
(спец. 01.04.07 – физика конденсированного
состояния). НИЦ «Курчатовский институт»
ведущий научный сотрудник лаб. новых элементов наноэлектроники отдела прикладных наноэлектронных структур НБИКС-Центра

Публикации:

1.      V.N. Men'shov, V.V. Tugushev, E.V. Chulkov “Carrier mediated ferromagnetism on the surface of a topological insulator“,Письма в ЖЭТФ 94, 672 (2011).

2.      S. Caprara, V.V. Tugushev, P.M. Echenique, and E.V. Chulkov, “Spin polarized states of matter on the surface of a three-dimensional topological insulator with implanted magnetic atoms”, Phys. Rev. B 85, 121304 (2012).

3.      V. Tripathi, K. Dhochak, B.A. Aronzon, B. Raquet, V.V. Tugushev and K.I. Kugel “Noise studies of magnetization dynamics in dilute magnetic semiconductor heterostructures”, Phys. Rev. B 85, 214401 (2012).

4.      V.N. Men’shov, V.V. Tugushev and E.V. Chulkov “Spin ordering on the surface of a topological insulator with magnetic ions”, Solid State Phenomena 190, 494 (2012).

5.      V.N. Menshov, V.V. Tugushev, E.V. Chulkov “Bound states induced by a ferromagnetic delta-layer inserted into a three-dimensional topological insulator”, Письма в ЖЭТФ 96, 492 (2012).

6.      V.N. Menshov, V.V. Tugushev, E.V. Chulkov «Interface induced states at the boundary between a 3D topological insulator and a normal insulator». Письма в ЖЭТФ 97, 297 (2013).

7.      V. N. Menshov, V.V.Tugushev, E. V. Chulkov «Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators», Письма в ЖЭТФ 98, 676 (2013).

8.      S.V. Eremeev, V.N. Menshov, V.V. Tugushev, P.M. Echenique, and E.V. Chulkov «Magnetic proximity effect at the three-dimensional topological insulator/magnetic insulator interface», Phys. Rev. B 88, 144430 (2013).

9.      S.V. Eremeev, V.N. Menshov, V.V. Tugushev, P.M. Echenique, and E.V. Chulkov «Magnetic proximity effect in the 3D topological insulator/ferromagnetic insulator heterostructure», Phys. Rev. B 88, 224401 (2013).

10.  V.N. Men’shov, V.V. Tugushev, T.V. Menshchikova, S.V. Eremeev, P.M. Echenique and E.V. Chulkov, «Modelling near-surface bound electron states in a 3D topological insulator: analytical and numerical approaches», J. Phys.: Condens. Matter 26, 485003 (2014).

11.  S.V. Eremeev, V.N. Menshov, V.V. Tugushev and E.V. Chulkov, «Interface induced states at the boundary between a 3D topological insulator Bi2Se3 and a ferromagnetic insulator EuS», Journ. Magn. Magn. Mat. 383, 30 (2015).

12.  V.N. Menshov, V.V.Tugushev, S.V. Eremeev, P. M. Echenique and E.V. Chulkov, «Band bending driven evolution of the bound electron states at the interface between a 3D topological insulator and a 3D normal insulator», Phys. Rev. B 91,075307 (2015).

13.  V.N. Men’shov, V.V. Tugushev, E.V. Chulkov, “Spin Hall conductivity in 3D TI/NI heterostructures”, Письма в ЖЭТФ 102, 864 (2015).

2. Молотков Сергей Николаевич,

доктор физико-математических наук,

спец.: 01.04.07 – физика конденсированного состояния);

профессор  ФГБУН Институт физики твердого тела Российской академии наук, зав.  лабораторией спектроскопии поверхности полупроводников 

Публикации:

1. Молотков С.Н., Рыжкин М.И. “Простой контрпример для Z_2-классификации топологических изоляторов, основанной на соответствии объем-граница”, Письма в ЖЭТФ 102, 216 (2015).

2. H.-C. Wu, A.N. Chaika, T.-W. Huang, A. Syrlybekov, S.N. Molotkov et al. “Transport Gap Opening and High On–Off Current Ratio in Trilayer Graphene with Self-Aligned Nanodomain Boundaries”, ACS Nano 9, 8967 (2015).

3. Молотков С.Н., Потапова Т.А. “О баллистическом транспорте в топологических изоляторах со структурой бордюров”, Письма в ЖЭТФ 97, 384 (2013).

4. Молотков С Н. “О симметрийно-топологической классификации краевых состояний в кристаллических спин-холловских изоляторах с инверсией времени”, Письма в ЖЭТФ 98, 466 (2013).

5. Молотков С.Н., Потапова Т.А. “О новом типе безмассовых дираковских фермионов в кристаллических топологических изоляторах”, Письма в ЖЭТФ 98, 336 (2013).

6. Молотков С.Н. “Об электронном спектре низкоразмерных структур с симметрией бордюров” Письма в ЖЭТФ 94, 306 (2011).
 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Адрес:   194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Адрес сайта: http://www.ioffe.ru/
Телефон: +7 911 913 0436

E-mail [email protected]:

Публикации:

1.      М.М. Глазов, Когерентная спиновая динамика электронов и экситонов в наноструктурах, ФТТ 54, 3 (2012).

2.      M.V. Durnev, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, Giant Zeeman splitting of light holes in GaAs/AlGaAs quantum wells, Physica E 44, 797 (2012).

3.      L.E. Golub and E.L. Ivchenko, Spin-dependent phenomena in semiconductors in strong electric fields, New Journal of Physics 15, 125003 (2013).

4.      M.M. Glazov, S.D. Ganichev, High frequency electric field induced nonlinear effects in graphene, Physics Reports 535, 101 (2014).

5.      M. V. Durnev, M. M. Glazov, and E. L. Ivchenko, Spin-orbit splitting of valence subbands in semiconductor nanostructures, Phys. Rev. B 89, 075430 (2014).

6.      A.V. Poshakinskiy, A.N. Poddubny, L. Pilozzi, and E.L. Ivchenko "Radiative Topological States in Resonant Photonic Crystals", Phys. Rev. Lett. 112, 107403 (2014).

7.      C. Zoth, P. Olbrich, P. Vierling, K.-M. Dantscher, V.V. Bel’kov, M. A. Semina, M.M. Glazov, L.E. Golub, D.A. Kozlov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, and S.D. Ganichev, Quantum oscillations of photocurrents in HgTe quantum wells with Dirac and parabolic dispersions, Phys. Rev. B 90, 205415 (2014).

8.      I. L. Drichko, V.A. Malysh, I.Yu. Smirnov, L.E. Golub, S.A. Tarasenko, A.V. Suslov, O.A. Mironov, M. Kummer, and H. von Känel, In-plane magnetic field effect on hole cyclotron mass and g_z factor in high-mobility SiGe/Ge/SiGe structures, Phys. Rev. B 90, 125436 (2014).

9.      L.E. Golub, S.A. Tarasenko "Valley polarization induced second harmonic generation in graphene", Phys. Rev. B 90, 201402 (2014).

10.  G. Wang, L. Bouet, M. M. Glazov, T. Amand, E. L. Ivchenko, E. Palleau, X. Marie, and B. Urbaszek, Magneto-optics in transition metal diselenide monolayers, 2D Mater. 2, 034002 (2015).

11.  D.S. Smirnov, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, and L. Lanco, Theory of optical spin control in quantum dot microcavities, Phys. Rev. B 92, 115305 (2015).

12.  V.V. Popov, D.V. Fateev, E.L. Ivchenko, and S.D. Ganichev, Noncentrosymmetric plasmon modes and giant terahertz photocurrent in a two-dimensional plasmonic crystal, Phys. Rev. B 91, 235436 (2015).

13.  S.A. Tarasenko, M.V. Durnev, M.O. Nestoklon, E.L. Ivchenko, J.-W. Luo, and A. Zunger "Split Dirac cones in HgTe/CdTe quantum wells due to symmetry-enforced level anticrossing at interfaces" Phys. Rev. B 91, 081302 (2015).

14.  K.-M. Dantscher, D.A. Kozlov, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, G.V. Budkin, S.A. Tarasenko, V.V. Bel'kov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, D. Weiss, B. Jenichen, and S.D. Ganichev "Cyclotron-resonance-assisted photocurrents in surface states of a three-dimensional topological insulator based on a strained high-mobility HgTe film", Phys. Rev. B 92, 165314 (2015).

-Отзыв на автореф. из МФТИ от к.ф-м.н.Д.А.Свинцова
 

- Отзыв на автореф. из ННГУ им. Н.И.Лобачевского от д.ф-м.н. В.А.Бурдова  и к.ф-м.н. Г.М.Максимова

Дата размещения  объявления о защите и автореферата диссерта ции на сайте организации:

Загороднев Игорь Витальевич

физико-математические науки

Специальность: 01.04.10

Шифр совета: Д 002.231.01

Адрес: 125009, Москва, ул.Моховая, д.11, корп.7

(ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

Тел: 8 (495) 629 3309;

e-mail: [email protected]

Дата защиты: «05» февраля 2016 г., в _10-00