• Сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия

  Руководитель направления Федотов Николай Игоревич мл. науч. сотр.

  
  

  Сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия позволяет получить доступ к электронным свойствам на атомном масштабе.

  

  Рисунок 1 Сверхвысоковакуумный низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп с камерой лазерного напыления и технологической камерой

• Зарядовый перенос при низких температурах и в магнитных полях

  Руководитель направления Кон Илья Андреевич мл. науч. сотр.

  
  

  Имеющиеся в лаборатории экспериментальные установки позволяют проводить исследования электронного переноса в широком диапазоне температур от 1.2 К до комнатной в магнитных полях до 7 Т

  

  Рисунок 2 Установка для исследования электрофизических свойтв в магнитных полях до 7 Т и диапазоне температур от 1,5 К до 300 К

• Квантовые структуры

  Руководитель направления Зайцев-Зотов Сергей Владимирович г.н.с., д.ф.-м.н.

  
  

  Это сравнительно новое для нас направление, связанное с созданием и изучением атомно тонких структур, полученных методом сухого наслоения. Целями исследований является поиск новых физических эффектов в структурах, не имеющих аналогов среди получаемых традиционными методами.

  

  Рисунок 3 Устройство для создания квантовых структур методом наслоения

• Технология и физика квазиодномерных проводников с волнами зарядовой плотности, а также низкоразмерных слоистых систем

  Руководитель направления Минакова Валерия Евгеньевна с.н.с., к.ф.-м.н.

  
  

  Имеющееся в нашем распоряжении технологическое оборудование позволяет выращивать чистые совершенные кристаллы разнообразных веществ, в том числе соединения, в которых электронная система в результате фазового перехода кристаллизуется образуя состояние с пространственно модулированной электронной плотностью – волну зарядовой плотности. Возможность волны зарядовой плотности скользить вдоль кристалла перенося электрический ток приводит к появлению целого ряда необычных физических явлений – гигантской диэлектрической проницаемости до 109, нелинейной проводимости, генерации узкополосного шума при скольжении ВЗП, возникновения на вольт-амперных характеристиках ступеней Шапиро при добавлении ВЧ напряжения и т.п.

  

  Трехзонная ростовая поворотная трубчатая печь

• Создание структур методами магнетронного распыления и электронной литографии

  Руководитель направления Ильин Алексей Сергеевич с.н.с., к.ф.-м.н.

  
  

  Создание контактов к структурам методами магнетронного распыления и электронной литографии является основой для исследования физических эффектов на микронном и субмикронном масштабах.

  

  Система магнетронного распыления

  

  Сканирующий электронный микроскоп с системой электронной литографии

• Фурье-спектроскопия

  Руководитель направления Дюжиков Игорь Николаевич н.с.

  
  

  Имеющийся в лаборатории фурье-спектрометр Vertex 80V позволяет проводить исследования спектров пропускания, отражения и поглощения в диапазоне от терагерцового до области видимого света.

  

  Измерительный комплекс на основе фурье-спектрометра

• Обнаружение и исследование магнетосопротивления в области квантового крипа волны зарядовой плотности в квазиодномерном проводнике o-TaS₃

  Публикации:
  
  • IA Cohn, SV Zaitsev-Zotov “Activated and quantum creep of the charge-density waves in magnetic field in o-TaS₃» arXiv:2304.09744

• Разработка технологии ван дер Ваальсовой эпитаксии топологического изолятора Bi₂Te₃ на подложках пиролитического графита методом лазерного напыления

  Публикации:
  
  • NI Fedotov, AA Maizlakh, VV Pavlovskiy, GV Rybalchenko, SV Zaitsev-Zotov, «Scanning tunneling microscopy of Bi₂Te₃ films prepared by pulsed laser deposition: from nanocrystalline structures to van der Waals epitaxy» Surfaces and Interfaces, 31, 102015 (2022)

• Синтез и изучение нового политипа квазиодномерного проводника NbSe₃ с высокотемпературным переходом в состоянии с волнами зарядовой плотности

  Публикации:
  
  • SG Zybtsev, NYu Tabachkova, VYa Pokrovskii, SA Nikonov, AA Maizlakh, SV Zaitsev-Zotov, «New Polytype of the Quasi-One-Dimensional Conductor NbS₃ with a High-Temperature Charge Density Wave», JETP Letters, 114, 40 (2021)

• Обнаружение квазисвязанных состояний на атомных ступенях топологического изолятора Bi₂Te₃

  Публикации:
  
  • N Fedotov, S Zaitsev‐Zotov, “Experimental Observation of Bound States of 2D Dirac Electrons at Surface Steps of the Topological Insulator Bi₂Te₃”, physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters 13, 1800617 (2019)

• Обнаружение и исследование нового типа пиннинга волн зарядовой плотности в o-TaS₃

  Публикации:
  
  • VE Minakova, AM Nikitina, SV Zaitsev-Zotov, “A New Type of Charge-Density-Wave Pinning in Orthorhombic TaS₃ Crystals with Quenching Defects” JETP Letters 110, 62-67

Сотрудники лаборатории принимают активное участие в образовательном процессе. Так Зайцев-Зотов С.В. является профессором МФТИ и ВШЭ и руководит кафедрой «Наноэлектроника и фотоника» ВШЭ, Ильин А.С. – доцент ВШЭ, а Кон И.А. – старший преподаватель ВШЭ.